[发明专利]动态随机存取存储器的位线预充电压产生器有效
| 申请号： | 200610136152.X | 申请日： | 2006-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101162606A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 张健怡 | 申请（专利权）人： | 晶豪科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4074 | 分类号： | G11C11/4074 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种DRAM位线预充电压产生器，其包含：第一放大器，其具有第一电流源且比较第一电压与预充电压以控制第一PMOS晶体管、第二放大器，其具有第二电流源且比较第二电压与该预充电压以控制第二PMOS晶体管、第三放大器，其具有第三电流源且比较第三电压与该预充电压以控制第一NMOS晶体管、及第四放大器，其具有第四电流源且比较该第一电压与该预充电压以控制第二NMOS晶体管。该预充电压是自连接于该第二PMOS晶体管与该第一NMOS晶体管之间的输出节点而反馈。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 位线预 充电 压产 | ||
【主权项】：
1.一种DRAM位线预充电压产生器，其包含：第一放大器，其比较第一电压与预充电压以控制耦接至供应电压源的第一PMOS晶体管；第二放大器，其比较第二电压与该预充电压以控制耦接至该第一PMOS晶体管的第二PMOS晶体管；第三放大器，其比较第三电压与该预充电压以控制耦接至该第二PMOS晶体管的第一NMOS晶体管；及第四放大器，其比较第一电压与该预充电压以控制耦接至该第一NMOS晶体管及接地电压源的第二NMOS晶体管；其中，该预充电压是获取自连接于该第二PMOS晶体管与该第一NMOS晶体管之间的输出节点。
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