[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610135634.3 | 申请日： | 2006-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN1967872A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 小川久;内藤康志;工藤千秋 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有被FUSI化了的栅电极的半导体装置，可以有效地形成应力膜，可以提高半导体装置的电气特性。半导体装置具备：形成于半导体基板(1)上的具有被镍完全硅化物化了的完全硅化物栅电极(24A)的n型MIS晶体管(100A)、具有被镍完全硅化物化了的完全硅化物栅电极(24B)的p型MIS晶体管(100B)。在半导体基板(1)上，以至少将完全硅化物栅电极(24B)覆盖的方式形成有作为使该半导体基板(1)的完全硅化物栅电极(24A)的下侧部分的沟道区域产生应力应变的应力膜的第二基底绝缘膜(17)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，是具备了形成于半导体区域的第一区域中的第一导电型的第一金属绝缘体半导体晶体管的半导体装置，其特征为，所述第一金属绝缘体半导体晶体管具有：形成于所述第一区域上的第一栅极绝缘膜；形成于所述第一栅极绝缘膜上而被利用金属完全硅化物化了的第一栅电极；形成于所述第一区域的所述第一栅电极的侧方的第一源漏区域；以覆盖所述第一栅电极及第一源漏区域的方式形成而使所述第一区域的所述第一栅电极的下侧部分产生应力应变的绝缘膜。
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