[发明专利]半导体集成电路及其设计方法有效
| 申请号： | 200610135612.7 | 申请日： | 2006-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN1971912A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 藤山幸司;永谷宜启;高桥厚 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/522;H01L23/485;H01L21/82;H01L21/768;G06F17/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体集成电路及其设计方法，能够使电子漂移发生的可能性降低的同时，减少所需花费的工时。端子数量的削减远不及由于制作工艺的精细化而引起的电路集积度的提高速度，由端子数决定芯片尺寸的情况在不断增加。在削减端子数时，削减的多为电源端子。削减了电源端子后，流过每个电源端子的电流值增加，则存在由于超过布置层的电流容许值而导致设计上的返工，及制品完成后发生电子漂移(EM)的可能性。在半导体集成电路的平面布置工序中，在事先没有超过电流容许值的电源结构里制作电源。还有，电源作成后出现了超过容许电流值的现象时，以容许电流值、平面布置设计规则数据库、电源布线密度为基础改变电源结构，以使其不超过容许电流值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路，其特征在于：在平面布置的电源设计工序中，具有在环状电源的一边上使用了多层金属层的结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
