[发明专利]高耐压半导体开关元件及使用其的开关电源装置

摘要

本发明公开了一种高耐压半导体开关元件及使用其的开关电源装置。在P^－型半导体衬底表面部分形成N型降低表面电场区域。在半导体衬底内，以与降低表面电场区域相邻的方式形成p型基极区域。在基极区域上，隔着栅极绝缘膜形成栅极电极。在基极区域内，以与降低表面电场区域隔离的方式形成N⁺型发射极兼源极区域。在降低表面电场区域内，以与基极区域隔离的方式形成p⁺型集电极区域和N⁺型漏极区域。设置电连接在集电极区域和漏极区域上的集电极兼漏极电极、和电连接在基极区域和发射极兼源极区域上的发射极兼源极电极。因此，能提供一种能在从负载很小时到负载很大时为止的整个范围内减低损失的高耐压半导体开关元件及使用其的开关电源装置。

主权项

1.一种高耐压半导体开关元件，其特征在于：包括：第二导电型降低表面电场区域，形成在第一导电型半导体衬底表面部分中，第一导电型基极区域，以与所述降低表面电场区域相邻的方式形成在所述半导体衬底内，第二导电型发射极兼源极区域，以与所述降低表面电场区域隔离的方式形成在所述基极区域内，栅极绝缘膜，从所述发射极兼源极区域上跨越着所述基极区域至少形成到所述降低表面电场区域上，栅极电极，形成在所述栅极绝缘膜上，第二导电型漏极区域，以与所述基极区域隔离的方式形成在所述降低表面电场区域内，第一导电型集电极区域，以与所述基极区域隔离的方式形成在所述降低表面电场区域内，集电极兼漏极电极，形成在所述半导体衬底上，并且电连接在所述集电极区域和所述漏极区域这两个区域上，以及发射极兼源极电极，形成在所述半导体衬底上，并且电连接在所述基极区域和所述发射极兼源极区域这两个区域上。