[发明专利]一种磁镜场约束双靶非平衡磁控溅射方法无效
| 申请号： | 200610134220.9 | 申请日： | 2006-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN1948548A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 牟宗信;贾莉;李国卿;赵华玉;刘升光 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/34 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 | 代理人： | 侯明远;李宝元 |
| 地址： | 116024辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁镜场约束的对靶非平衡磁控溅射系统，主要用于表面工程技术领域。其特征在于：有两个通电的同轴线圈和两个永磁式磁控靶相对放置，通电线圈能够形成和两个永磁式磁控靶同轴的完全封闭的磁镜场；通过调整两对相对放置的同轴线圈的电流来控制溅射靶的外围的封闭磁镜场，精细调整放电等离子体状态、沉积参数；同时电磁线圈增强阴极放电，增加阴极区域等离子体引出，提高沉积区域等离子体密度。本发明的优点：采用同轴的磁镜场约束等离子体，附加同轴线圈后，增大了沉积参数的调整范围，这种非平衡磁控溅射技术和常规磁控溅射技术相比具有等离子状态可调，等离子体离化率高，离子原子到达比高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁镜 约束 双靶非 平衡 磁控溅射 方法 | ||
【主权项】：
1、一种磁镜场约束双靶非平衡磁控溅射方法，其特征在于：在两个相对放置的永磁式磁控靶的外围设置两个通电的同轴线圈，形成和两个永磁式磁控靶同轴的完全封闭的磁镜场，通过调整相对放置的同轴线圈的电流来调整沉积区域放电等离子体状态和沉积参数。
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