[发明专利]氮化物半导体元件

摘要

为了通过发挥使用多量子阱结构的有源层的特性，从而提高发光输出功率、扩大氮化物半导体发光元件的各种应用产品的适用范围，在具有多层氮化物半导体层的n侧区域与具有多层氮化物半导体层的p侧区域之间设有有源层的氮化物半导体发光元件中，在n侧区域和p侧区域的至少任意一方，形成有由两种氮化物半导体膜层叠而成的多层膜层。

主权项

1.一种氮化物半导体元件，它是在具有多层氮化物半导体层的n侧区域和具有多层氮化物半导体层的p侧区域之间具有有源层的氮化物半导体元件，其特征在于：上述n侧区域的至少一层氮化物半导体层是由下列的至少三层依次层叠而成的n侧第一多层膜层：由非掺杂的氮化物半导体膜构成的下层，由掺杂了n型杂质的氮化物半导体膜构成的中间层，以及由非掺杂的氮化物半导体膜构成的上层；并且在上述n侧第一多层膜层与有源层之间，具有由含有In的第一氮化物半导体膜和具有与该第一氮化物半导体膜不同组成的第二氮化物半导体膜层叠而成的n侧第二多层膜层；上述p侧区域的至少一层氮化物半导体层，是由分别掺杂了p型杂质、并且相互之间带隙能量不同的第三和第四氮化物半导体膜层叠而成的p侧多层膜包覆层；上述有源层是由InaGa1-aN(0≤a＜1)构成的多量子阱结构。