[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610132131.0 | 申请日： | 2006-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN1956186A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 佐藤好弘;小川久 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种栅电极的布线电阻小、且栅电极和共用接触插头的接触电阻小的半导体装置。半导体装置具备：形成在半导体衬底(10)上且被完全转化成硅化物的第1栅布线(19A)；形成在第1栅布线(19A)的侧面上的第1侧壁(21A)；和形成在活性区域(12)的杂质扩散层(14B)。在形成于半导体衬底(10)上的层间绝缘膜(35)形成有与第1栅布线(19A)及杂质扩散层(14B)连接的共用接触插头(24)。第1栅布线(19A)在与共用接触插头(24)连接的部分具有从第1侧壁(21A)突出的突出部(20A)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中，具备：元件隔离区域，其形成在半导体衬底上；活性区域，其是所述半导体衬底的由所述元件隔离区域包围的区域；第1栅布线，其形成在所述半导体衬底上，且被完全转化成硅化物；绝缘性的第1侧壁，其形成在所述第1栅布线的侧面上；杂质扩散层，其形成在所述活性区域；层间绝缘膜，其形成在所述半导体衬底上，且具有将跨越所述第1栅布线的一部分和所述杂质扩散层的一部分的区域露出的开口部；接触插头，其由形成在所述开口部内的导电性材料构成，且与所述第1栅布线及所述杂质扩散层连接，所述第1栅布线在与所述接触插头连接的部分具有从所述第1侧壁突出的突出部。
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