[发明专利]利用离子束注入晶片的方法无效
| 申请号： | 200610131831.8 | 申请日： | 2001-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1992169A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 唐纳德·W·贝里亚 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01J37/317 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 夏青 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用离子束注入晶片的方法和用于晶片的离子注入的装置，该晶片是具有圆盘形状并具有直径和中心的表面区域之类型。该方法包括：形成入射到该晶片上的离子束；以移动速度沿与该离子束交叉的路径移动该晶片盘的中心；同时以旋转速度基本上绕该中心旋转该晶片；在旋转该晶片的同时使该晶片倾斜，使得该离子束以相对于该晶片的晶轴基本上恒定的角度注入该表面区域。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 离子束 注入 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1、一种利用离子束注入晶片的方法，该晶片是具有圆盘形状并具有直径和中心的表面区域之类型，该方法包括以下步骤：形成入射到该晶片上的离子束；以移动速度沿与该离子束交叉的路径移动该晶片盘的中心；同时以旋转速度基本上绕该中心旋转该晶片；在旋转该晶片的同时使该晶片倾斜，使得该离子束以相对于该晶片的晶轴基本上恒定的角度注入该表面区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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