[发明专利]一种直径可控的硫化物半导体纳米线阵列的制备方法无效
| 申请号： | 200610130327.6 | 申请日： | 2006-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1995476A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 于文惠;王达健;陆启飞 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;B82B3/00 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300191天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种直径可控的硫化物半导体纳米线阵列的制备方法。利用一种溶液可循环的电解槽装置，采用脉冲电沉积法，在不同孔径的氧化铝模板中电沉积不同直径的硫化物半导体纳米线阵列，纳米线的直径在5nm至500nm范围内可调。此方法适用于ZnS，CdS，CuS，Ag2S，Sb2S3，Bi2S3，等硫化物半导体纳米线的制备合成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直径 可控 硫化物 半导体 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种直径可控的硫化物半导体纳米线阵列的制备方法，其特征在于：利用一种溶液可循环的电解槽装置，采用脉冲电沉积法，在氧化铝模板中电沉积硫化物半导体纳米线阵列，通过调整氧化铝模板上的孔径尺寸，使硫化物半导体纳米线的直径在5nm至500nm范围内可调。
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