[发明专利]分裂栅型非易失性存储器器件及其制造方法

摘要

公开了一种分裂栅型非易失性存储器器件及其制造方法。该存储器器件包括：在半导体衬底上所限定的有源区，在有源区之上所形成的一浮动栅对，在浮动栅和有源区之间所插入的电荷存储绝缘层，在有源区上所形成的且分别地部分重叠在浮动栅之上的字线对，以及在字线和有源区之间所插入的栅绝缘膜。对称的浮动栅可以如此形成，使得在有源区上所形成的浮动栅图案上形成导电膜，并依次对导电膜和浮动栅图案进行图案化。根据本发明，可防止导电纵条形成在浮动栅之间的有源区上，因此提高了存储器器件的可靠性，且避免了由纵条所引起的有源区电阻增加。

主权项

1.一种分裂栅型非易失性存储器器件，包括：在半导体衬底中所限定的有源区；在所述有源区上所形成的一第一导电膜图案对；在所述第一导电膜图案对和所述有源区之间所插入的电荷存储层；在所述有源区上所形成的一字线对，每个字线部分地重叠在每个对应的第一导电膜图案之上；以及在所述字线和所述有源区之间所插入的栅绝缘膜，其中所述第一导电膜图案对之上的所述字线的侧壁分别与所述第一导电膜图案对的相对的侧壁对准。