[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200610127890.8 | 申请日： | 2006-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1941389A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 全寅均 | 申请（专利权）人： | 东部电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/822;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 所公开的是一种CMOS图像传感器。器件隔离膜形成在半导体衬底的器件隔离区中，以限定有源区和器件隔离区。栅绝缘膜形成在半导体衬底上。栅绝缘膜在器件隔离膜的界面区域处和在器件隔离膜之间的有源区处具有不同厚度。栅电极形成在栅绝缘膜上。浮动扩散区形成在栅电极一侧的半导体衬底中。光电二极管区形成在栅电极另一侧的半导体衬底中。还公开了一种制造该CMOS图像传感器的方法。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器，包括：形成在半导体衬底的器件隔离区中的器件隔离膜，以限定有源区和器件隔离区；形成在所述半导体衬底上的栅绝缘膜，所述栅绝缘膜在所述器件隔离膜的界面区域处和在所述器件隔离膜之间的所述有源区处具有不同的厚度；形成在所述栅绝缘膜上的栅电极；形成在所述栅电极一侧的所述半导体衬底中的浮动扩散区；以及形成在所述栅电极另一侧的所述半导体衬底中的光电二极管区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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