[发明专利]高密度电浆化学气相沉积反应器及方法有效
申请号: | 200610127751.5 | 申请日: | 2006-09-01 |
公开(公告)号: | CN1940129A | 公开(公告)日: | 2007-04-04 |
发明(设计)人: | 刘中伟;刘沧宇;林剑锋;张振凉;陈明德;林嘉慧;蔡瑛修;吴斯安;李音频 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;C23C16/448;C23C16/54 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关于一种高密度电浆化学气相沉积反应器及方法。该高密度电浆化学气相沉积方法,首先,激发一气体混合物,以产生具有复数个离子的电浆,且引导电浆至一半导体晶圆上的密集区域中。接着,以额外的热源加热半导体晶圆。最后,于半导体晶圆上沉积电浆中的一物质。该高密度电浆化学气相沉积反应器包括一反应室;一激发源,用以激发一气体混合物;一半导体晶座,用以承载一半导体晶圆;以及额外的一加热元件,设置于该反应室内,以提供热能来加热该半导体晶圆。本发明可改善现有的高密度电浆化学气相沉积方法。 | ||
搜索关键词: | 高密度 化学 沉积 反应器 方法 | ||
【主权项】:
1、一种高密度电浆化学气相沉积方法,其特征在于其包括如下步骤:激发一气体混合物,以产生具有复数个离子的一电浆,且引导该电浆至一半导体晶圆上的一密集区域中;以额外的一加热源加热该半导体晶圆;以及沉积该电浆中的一物质于该半导体晶圆上。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的