[发明专利]同时编程与编程验证的非易失性存储器有效
| 申请号： | 200610126664.8 | 申请日： | 2006-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1941204A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 何文乔;史毅骏;张钦鸿;洪俊雄 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C11/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明描述一种页面模式编程序列，包括第一及第二偏压施加循环。在第一循环，编程偏压施加于此组存储器单元的第一部分，同时施加编程验证偏压及感测储存于此组存储器单元的第二部分。这样，此组存储器单元的第一部分被编程，而此组存储器单元的第二部分被验证，此操作之后运行第二偏压施加循环，其中编程偏压至此组存储器单元的第二部分，同时施加编程验证偏压及感测储存于此组存储器单元的第一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 同时 编程 验证 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1、一种编程存储器设备的方法，该存储器设备具有由各自的存储器单元地址识别的存储器单元中的输入数据，该方法包括：载入欲储存于一组存储器单元内的一组数据，该组存储器单元包括特征在于在这些各自的存储器单元地址中具有相同的较高等级地址位的存储器单元；执行编程序列，该编程序列包括：第一次施加编程偏压至该组存储器单元的第一部分，同时施加编程验证偏压至及感测储存于该组存储器单元的第二部分中的数据；第二次施加编程偏压至该组存储器单元的该第二部分，同时施加编程验证偏压至及感测储存于该组存储器单元的该第一部分中的数据。
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