[发明专利]雪崩量子子能带间跃迁半导体激光器无效
| 申请号： | 200610126360.1 | 申请日： | 2006-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1921244A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 金敬玉;金仁奎;李基仲;李哲均 | 申请（专利权）人： | 韩国电子通信研究院 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了雪崩量子子能带间跃迁半导体激光器。该激光器包括：在半导体衬底上形成的第一覆盖层、第一波导层、有源区、第二波导层和第二覆盖层，其中有源区由单位单元结构的多个叠层(周期)构成，单位单元结构包括用于倍增载流子的载流子倍增层结构、载流子引导层结构和载流子注入到其中且在其中产生载流子的子能带间光辐射跃迁的QW有源区。这里，当穿过载流子倍增层结构时倍增且注入到QW有源区的光跃迁能级的载流子，可以有效地得到高粒子束反转，由此能利用更少叠层的小型结构得到了更高的激光输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 雪崩 量子 能带 跃迁 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1、一种雪崩量子子能带间跃迁半导体激光器，包括：在半导体衬底上形成的第一覆盖层、有源区、和第二覆盖层，其中所述有源区包括单位单元结构，所述单位单元结构包括用于倍增载流子的载流子倍增层结构、载流子引导层结构和载流子注入到其中的量子阱有源区，其中所述载流子经历光辐射跃迁。
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