[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

提供了制造半导体器件的方法，所述半导体器件所包括的鳍型FET结构提供主体偏压控制，表现出与SOI结构相关的某些特征优点，提供增大的工作电流和/或降低的接触电阻。所述的制造半导体器件的方法包括：在第一绝缘膜的突出部分的侧壁上形成绝缘分隔体；通过以绝缘分隔体作为蚀刻掩模去除半导体衬底的暴露区域而形成第二沟槽，并由此形成与第一绝缘膜接触并由其支撑的鳍。在形成鳍之后，形成填充第二沟槽并支撑所述鳍的第三绝缘膜。之后，去除第一绝缘膜的一部分，以开放鳍之间的空间，在所述空间内可以形成包括栅极电介质、栅电极和额外接触、绝缘和存储节点结构的额外结构。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底中形成具有第一深度的第一沟槽；在所述第一沟槽内形成第一绝缘膜，使所述第一绝缘膜的上部延伸至由所述半导体衬底的上部表面界定的平面之上；邻接所述第一绝缘膜的所述上部上的侧壁形成绝缘分隔体，使所述分隔体跨越所述半导体衬底的所述上部表面的第一部分延伸，并且暴露所述半导体衬底的所述上部表面的第二部分；去除位于所述半导体衬底的所述上部表面的所述第二部分之下的所述半导体衬底的第一厚度以形成第二沟槽结构，由此形成邻接所述第一绝缘膜的对立侧壁的一对鳍；以第三绝缘膜填充所述第二沟槽结构；去除所述第一绝缘膜的上部，而基本保持所述第三绝缘膜的厚度，以形成残余的第一绝缘膜并暴露位于所述残余的第一绝缘膜之上的所述鳍的上部表面部分；在所述鳍的所述上部表面部分上形成栅极绝缘层；以及在所述的残余的第一绝缘膜和所述栅极绝缘层上形成栅电极。