[发明专利]半导体装置及其制造方法、电路基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200610125690.9 | 申请日： | 2006-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1925147A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 梅本光雄 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/488;H01L23/48;H01L21/28;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，以及电路基板及其制造方法。该半导体装置能够提高与焊料等接合材料的连接可靠性。本发明的半导体装置(10A)中在半导体基板(11)的上面形成有源区域(20)，该有源区域由埋有氧化物的沟槽(24)包围。另外，与有源区域电气连接的贯通电极(16)从半导体基板的上面延伸到背面。在此，贯通电极(16)的下端从覆盖半导体基板(11)的背面的绝缘膜(27)向下方突出。因此，使用焊料等接合材料而安装半导体装置(10A)时将突出外部的贯通电极(16)埋入接合材料，提高连接可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 路基 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，具有形成在半导体基板的一主面上的有源区域、在厚度方向上贯通所述半导体基板而设置的贯通孔、以及形成在所述贯通孔内部与所述有源区域电气连接并且延伸至所述半导体基板的另一主面的贯通电极，其中，所述贯通电极的前端部从所述半导体基板的另一主面向外部突出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社，未经三洋电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610125690.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
