[发明专利]半导体存储装置

摘要

本发明提供一种半导体存储装置，用于实现产品成本的降低。在半导体存储装置中具有：存储单元部(属于Wni－1、W0i～Wni的单元)和旁路部(属于BW0i、BW0i－1、BW1i、BW1i－1的单元)。存储单元部具有选择栅极(3a)、浮置栅极(6)、第1扩散区域(7a)、第2扩散区域(7b)和第1控制栅极(11a)。旁路部具有：选择栅极(3a)、第1扩散区域(7a)和第2扩散区域(7b)，并具有第2控制栅极(11b)。第2控制栅极(11b)控制选择栅极(3a)和第1扩散区域(7a)之间，或者选择栅极(3a)和第2扩散区域(7b)之间区域的沟道。旁路部的沟道成为读出存储单元部的单元时的电流供给路径。

主权项

1、一种半导体存储装置，具有存储单元部和旁路部，所述存储单元部具有：选择栅极，其配设在基板上的第1区域；第1存储节点和第2存储节点，其配设在与所述第1区域邻接的第2区域；第1扩散区域和第2扩散区域，其与所述第2区域邻接，并且设置在所述基板表面上的第3区域；和第1控制栅极，其配设在所述第1存储节点和所述第2存储节点上，并且，控制所述第1存储节点或者所述第2存储节点下的沟道，所述旁路部具有第2控制栅，其在与所述存储单元部不同的区域，具有所述选择栅极、所述第1扩散区域和所述第2扩散区域，并控制所述选择栅极和所述第1扩散区域之间，或者所述选择栅极和所述第2扩散区域之间区域的沟道，所述选择栅极和所述第1扩散区域之间，或者所述选择栅极和所述第2扩散区域之间区域的沟道，成为读出所述第1存储节点或者所述第2存储节点时的电流供给路径。