[发明专利]一种高硅取向硅钢薄板的制备方法无效
| 申请号： | 200610125541.2 | 申请日： | 2006-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN100999822A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 吴隽;从善海;王蕾 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | C23F17/00 | 分类号： | C23F17/00;C23C14/34;C23C14/14;C23C14/58;B32B5/00 |
| 代理公司： | 武汉开元专利代理有限责任公司 | 代理人： | 樊戎 |
| 地址： | 430081*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高硅取向低碳高硅硅钢薄板的制备方法。其技术方案是将基材为硅含量低于3.0wt％的低碳钢或低硅硅钢置于溅射室，在真空或保护性气氛下，采用溅射沉积法将不同靶材在基材两面交替或同时沉积，预制成硅铁合金膜或Fe/Si多层膜或Fe/Si超晶格多层膜的沉积层；再向溅射室通入N2和/或O2，采用溅射沉积法将Ti、Cr、Al或MgO靶材沉积在沉积层外表面，形成AlN、TiN、MgO或一层含Cr尖晶石型氧化物覆层；然后采用高能粒子注入法进行表面处理或扩散退火处理并进行轧制，最后将轧制的复合材料进行再结晶退火处理。本发明制备周期短、扩散退火处理时间短，能形成表面碳、磷及氧含量极低的高硅取向硅钢薄板，沉积层的晶粒大小规则，具有取向。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 取向 硅钢 薄板 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高硅取向硅钢薄板的制备方法，其特征在于将基材为硅含量低于3.0wt％的低碳钢或低硅硅钢置于溅射室，在真空或保护性气氛下，采用溅射沉积法将不同靶材在基材两面交替或同时沉积，预制成硅铁合金膜或Fe/Si多层膜或Fe/Si超晶格多层膜的沉积层；再向溅射室通入N2和/或O2，采用溅射沉积法将Ti、Cr、Al或MgO靶材沉积在沉积层外表面；然后采用高能粒子注入法进行表面处理或扩散退火处理并进行轧制，最后将轧制的复合材料进行再结晶退火处理。
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