[发明专利]垂直型自对准悬浮漏极MOS三极管及制造方法

摘要

本发明公开了一种导通电阻小、导电性能好、栅极电容小、交流反应快的垂直型自对准悬浮漏极MOS三极管及制造方法。该三极管包括硅衬底(1)、漏极金属(2)、源极金属(3)、栅极金属(4)、外延层(8)、氧化层(9)、阱区(51)、源区(52)、栅氧化层(60、61)、多晶硅栅极(7)，氧化层(9)内有通孔(90)，源极金属(3)、栅极金属(4)填充通孔(90)并分别与阱区(51)、源区(52)及多晶硅栅极(7)相连接，位于栅氧化层(61)上的每条多晶硅栅极(7)中间断开分成两部分(71、72)，两部分多晶硅栅极(71、72)之间相应的下方阱区(51)之间有悬浮漏区(53)。该方法包括形成栅氧化层、多晶硅栅极、悬浮漏区、阱区、源区、氧化层、金属层的步骤。

主权项

1、一种垂直型自对准悬浮漏极MOS三极管，包括硅衬底(1)，位于所述硅衬底(1)背面的漏极金属(2)、位于所述硅衬底(1)正面的外延层(8)，形成于所述外延层(8)正面的氧化层(9)，位于所述氧化层(9)正面的源极金属(3)、栅极金属(4)，植入到所述外延层(8)中的阱区(51)、源区(52)，生长于所述外延层(8)正面的栅氧化层I(60)、栅氧化层II(61)，位于所述栅氧化层I(60)、所述栅氧化层II(61)上的多晶硅栅极(7)，所述氧化层(9)内有若干个接触孔(90)，所述源极金属(3)、所述栅极金属(4)填充若干个所述接触孔(90)并分别与所述阱区(51)、所述源区(52)及所述多晶硅栅极(7)相连接，其特征在于：位于所述栅氧化层II(61)上的每条所述多晶硅栅极(7)中间断开分成两部分(71、72)，两部分所述多晶硅栅极(71、72)之间相应的下方所述阱区(51)之间有悬浮漏区(53)。