[发明专利]利用一共享储存单元的写入策略设定装置及其相关方法有效

专利信息
申请号: 200610121813.1 申请日: 2006-08-24
公开(公告)号: CN1925020A 公开(公告)日: 2007-03-07
发明(设计)人: 刘元卿 申请(专利权)人: 联发科技股份有限公司
主分类号: G11B7/00 分类号: G11B7/00;G11B7/0045;G11B7/125;G11B20/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 任默闻
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种利用一共享储存单元的写入策略设定装置及其相关方法,应用于一光驱,该写入策略设定装置包含有储存单元、误差计算器与写入策略控制器。该储存单元储存包含对应多个资料型态的多个写入策略参数设定集的一初始写入策略;该误差计算器计算通过该光驱使用该初始写入策略中一相对应写入策略参数设定集产生的每一资料型态的一误差值集合,并储存该计算后误差值集合至该储存单元以重写该写入策略参数设定集;该写入策略控制器通过参考储存于该储存单元中多个误差值集合与该初始写入策略来决定一修正后写入策略,并储存该修正后写入策略至该储存单元。通过本发明,不仅达到节省电路的效益,并能符合高速存取的目的。
搜索关键词: 利用 共享 储存 单元 写入 策略 设定 装置 及其 相关 方法
【主权项】:
1.一种应用于一光驱的写入策略设定装置,其特征在于包含有:一储存单元,用于初始时储存一初始写入策略,其中该初始写入策略包含有对应于多个资料型态的多个写入策略参数设定集;一误差计算器,耦接至该储存单元,用于计算通过该光驱使用该初始写入策略中一对应写入策略参数设定集产生的每一资料型态的一误差值集合,并且储存该计算后的误差值集合至该储存单元以重写该写入策略参数设定集;以及一写入策略控制器,耦接至该储存单元,用于通过参考储存于该储存单元中的多个误差值集合与该初始写入策略以决定一修正后写入策略,并且储存该修正后写入策略至该储存单元。
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