[发明专利]氮化物半导体激光元件及其制造方法

摘要

对具有氮化物半导体层的衬底解理，以形成谐振器端面，在所述谐振器端面上形成涂覆膜，从而制成氮化物半导体激光棒。将其划分为氮化物半导体激光元件。在谐振器端面形成涂覆膜之前，将谐振器端面暴露于由含有氮气的气体生成的等离子体气氛中。当以“a”表示所述暴露之前所述谐振器端面的表面内的氮镓比率，以“b”表示在所述暴露之前自所述谐振器端面的表面起的内部的氮镓比率的平均值，以“d”表示在暴露于所述等离子体气氛之后所述谐振器端面的表面内的氮镓比率，以“e”表示在所述暴露之后自所述谐振器端面的表面起的内部的氮镓比率的平均值时，将由g＝(b·d)/(a·e)表示的值“g”设为满足g≥0.8的值。

主权项

1.一种制造氮化物半导体激光元件的方法，所述方法包括：在衬底上形成氮化物半导体层的氮化物半导体层形成步骤；以及解理在其上形成了所述氮化物半导体层的所述衬底，从而形成两个相互平行的谐振器端面的解理步骤，其中所述方法还包括将所述谐振器端面暴露于由氮气或惰性气体和氮气的混合气体生成的第一等离子体气氛的第一暴露步骤，在所述第一暴露步骤中，当以“a”表示在暴露于所述第一等离子体气氛之前所述谐振器端面的表面内的氮镓比率，以“b”表示在所述暴露之前自所述谐振器端面的表面起的内部的氮镓比率的平均值，以“d”表示在暴露于所述第一等离子体气氛之后所述谐振器端面的表面内的氮镓比率，以“e”表示在所述暴露之后自所述谐振器端面的表面起的内部的氮镓比率的平均值时，将由g＝(b·d)/(a·e)表示的值“g”设为满足g≥0.8的值。