[发明专利]利用磁畴牵引的磁存储器件有效
| 申请号： | 200610121657.9 | 申请日： | 2006-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101025999A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 林志庆;金恩植;金庸洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/14 | 分类号： | G11C11/14;G11C11/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用磁畴牵引的磁存储器件。该磁存储器件包括：存储区域、输入部件和检测部件。所述存储区域包括具有毗邻的分区和磁畴壁的自由层、形成为与所述分区对应且具有固定的磁化方向的被钉扎层、以及形成在所述自由层与所述被钉扎层之间的非磁层。所述存储区域包括用于使所述磁畴壁停止的磁畴壁截止器，其形成在所述分区的各边界处。所述输入部件电连接到所述自由层的一端从而输入用于磁畴牵引的牵引信号。所述检测部件测量流过所述存储区域的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 牵引 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种利用磁畴牵引的磁存储器件，该磁存储器件包括：存储区域，包括：其中形成磁畴壁的具有毗邻的分区的自由层；被钉扎层，形成为与所述分区对应且具有固定的磁化方向；以及非磁层，形成在所述自由层与所述被钉扎层之间，其中用于使所述磁畴壁停止的磁畴壁截止器形成在所述分区之间的各边界；输入部件，电连接到所述自由层的端部从而输入用于磁畴牵引的牵引信号；以及检测部件，用于测量流过所述存储区域的电流。
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