[发明专利]用于支撑生长中的半导体材料单晶的支撑装置以及制造单晶的方法无效
| 申请号： | 200610121457.3 | 申请日： | 2006-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1920118A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 迪特尔·克奈雷尔 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B15/30 | 分类号： | C30B15/30 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及在根据Czochralski坩埚拉伸法工作的拉晶设备内支撑半导体材料单晶(8)的细颈(81)处的增粗部分(82)的支撑装置(1)，其在下部区域内具有中心开口的承重装置(121、122)，中心点位于垂直轴(16)上的直径为D1的圆在水平面内与中心开口内接，承重装置(121、122)通过一个或更多个连接元件(132、133、134)与至少一个固定元件(14)相连，固定元件(14)适于固定在拉晶设备的升降装置(2)上，安装连接元件(132、133、134)使紧临承重装置(121、122)上方的区域内留有自由的空间，中心点位于轴(16)上且其直径大于D1的圆在任意水平面内与空间内接，其特征在于，支撑装置(1)本身是固定的。本发明还涉及利用支撑装置制造半导体材料单晶的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 支撑 生长 中的 半导体材料 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、支撑装置(1)，其用于在根据Czochralski坩埚拉伸法工作的拉晶设备内支撑半导体材料单晶(8)的细颈(81)处的增粗部分(82)，该支撑装置(1)在其下部区域内具有中心开口的承重装置(121、122)，中心点位于垂直轴(16)上的直径为D1的圆在水平面内与该中心开口内接，而该承重装置(121、122)通过一个或更多个连接元件(132、133、134)与至少一个安装在承重装置(121、122)上方的固定元件(14)相连，该固定元件(14)适合于固定在该拉晶设备的升降装置(2)上，安装这些连接元件(132、133、134)，使紧临承重装置(121、122)上方的区域内留有自由的空间，中心点位于轴(16)上且其直径D2大于直径D1的圆在任意的水平面内与该空间内接，其特征在于，该支撑装置(1)本身是固定的。
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