[发明专利]相变材料、制造和操作其的方法和相变随机存取存储器有效
| 申请号： | 200610121248.9 | 申请日： | 2006-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN1909239A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 卢振瑞;姜闰浩;李相睦;徐东硕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L21/82;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相变材料、包括该相变材料的PRAM以及制造和操作这种PRAM的方法。绝缘杂质均匀分布在相变材料的整个或部分区域上。该PRAM包括含有相变材料的相变层。相变材料的绝缘杂质含量可小于相变材料体积的10％。相变材料绝缘杂质的含量可以通过控制施加到包括绝缘杂质的靶的电能调节。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 材料 制造 操作 方法 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1.一种相变随机存取存储器，包括：开关器件；连接到所述开关器件的下电极；形成在所述下电极上的下电极接触层；形成在所述下电极接触层上的相变层，所述相变层下表面的部分区域接触所述下电极接触层的上表面；和形成在所述相变层上的上电极，其中所述相变层包括均匀分布的绝缘杂质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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