[发明专利]一种稀土掺杂硫系卤化物玻璃材料

摘要

本发明涉及一种稀土掺杂硫系卤化物玻璃材料，即三价稀土离子掺杂Ge－Ga－Se－MX(M＝K，Rb，Cs；X＝Cl，Br，I)硫系卤化物玻璃。其特征在于玻璃的组成为：(100－x－y－z)Ge－xGa－ySe－zMX，其中，5≤x≤30，45≤y≤65，2≤z≤20；掺杂离子为Dy³⁺或Sm³⁺。本发明合成的玻璃的转变温度T_g介于280～350℃之间；玻璃初始析晶温度T_x与T_g的差值超过100℃，玻璃态稳定性好，易于拉制光纤；稀土离子发射能级寿命长，发射截面大，使用此稀土掺杂玻璃预制棒拉制的光纤可应用于光纤放大器。

主权项

1、一种稀土掺杂硫系卤化物玻璃材料，其化学式为(100-x-y-z)Ge-xGa-ySe-zMX，其中，M为K或Rb或Cs；X为Cl或Br或I，5≤x≤30，45≤y≤65，2≤z≤20，稀土离子掺杂浓度质量百分比为0.05％～1％。