[发明专利]半导体光刻方法有效
| 申请号： | 200610119405.2 | 申请日： | 2006-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101201544A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 黄玮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/20;G03F7/26;G03F7/42;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体光刻方法，包括先在半导体硅上生成氮化硅，之后在氮化硅上面涂光刻胶并进行光刻得到沟道，然后去除光刻胶，再在器件表面镀上二氧化硅，在二氧化硅上特定的区域中填充许多规则排列的点状辅助标记，之后根据所述辅助标记的位置用刻蚀和化学机械抛光的工艺去除氮化硅层、二氧化硅层和上面的辅助标记，最后在沟道间涂布光刻胶并进行后续工艺。本发明通过添加辅助标记的方式，大大降低了CMP工艺对套刻测量的影响，保证了套刻测量的准确性，从而提高了芯片的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体光刻方法，包括先在半导体硅上生成氮化硅，之后在氮化硅上面涂光刻胶并进行光刻得到沟道，然后去除光刻胶，再在器件表面镀上二氧化硅，其特征在于，然后用光刻胶在二氧化硅上特定的区域中填充许多规则排列的点状辅助标记，之后根据所述辅助标记的位置对二氧化硅层进行刻蚀，然后化学机械抛光去除二氧化硅层和上面的辅助标记，再去除氮化硅层，最后在沟道间涂布光刻胶并进行后续工艺。
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