[发明专利]化学气相沉积设备反应室的清洗工艺有效
| 申请号： | 200610119063.4 | 申请日： | 2006-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101195908A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 李晓波;李夏;赵杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/24 | 分类号： | C23C16/24;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种化学气相沉积设备反应室的清洗工艺，去除晶圆化学气相沉积掺杂多晶硅层之后反应室内部的多晶硅层，然后在反应室内部沉积一层掺杂多晶硅层。使得反应室内部吸收足量的掺杂离子，可以避免在晶圆表面沉积掺杂多晶硅层的工艺过程中反应室内部以及其它部件再次吸收掺杂离子，保持晶圆表面沉积的掺杂多晶硅层掺杂成分以及电阻值的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 设备 反应 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种化学气相沉积设备反应室的清洗工艺，去除晶圆化学气相沉积掺杂多晶硅层之后反应室内部的多晶硅层，其特征在于，还包括在反应室内部沉积一层掺杂多晶硅层的步骤。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
