[发明专利]化学气相沉积设备反应室的清洗工艺有效

专利信息
申请号: 200610119063.4 申请日: 2006-12-04
公开(公告)号: CN101195908A 公开(公告)日: 2008-06-11
发明(设计)人: 李晓波;李夏;赵杰 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: C23C16/24 分类号: C23C16/24;C23C16/52
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 逯长明
地址: 201203*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种化学气相沉积设备反应室的清洗工艺,去除晶圆化学气相沉积掺杂多晶硅层之后反应室内部的多晶硅层,然后在反应室内部沉积一层掺杂多晶硅层。使得反应室内部吸收足量的掺杂离子,可以避免在晶圆表面沉积掺杂多晶硅层的工艺过程中反应室内部以及其它部件再次吸收掺杂离子,保持晶圆表面沉积的掺杂多晶硅层掺杂成分以及电阻值的稳定性。
搜索关键词: 化学 沉积 设备 反应 清洗 工艺
【主权项】:
1.一种化学气相沉积设备反应室的清洗工艺,去除晶圆化学气相沉积掺杂多晶硅层之后反应室内部的多晶硅层,其特征在于,还包括在反应室内部沉积一层掺杂多晶硅层的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610119063.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top