[发明专利]一种新型硅纳米晶的制备方法无效
| 申请号： | 200610118916.2 | 申请日： | 2006-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1974883A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 张荣君;陈良尧;郑玉祥;李晶;王松有;陆明 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C09K11/59;H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米光电材料技术领域，具体为一种电子束蒸发制备硅纳米晶的方法。传统的硅纳米晶的制备方法包括电化学腐蚀法、离子注入法、溅射法、化学气相沉积法，以及热蒸发法等。本发明采用电子束蒸发生长SiOx/SiO2(1＜x＜2)超晶格多层膜结构，其中SiOx层和SiO2层将分别蒸发SiO粉末源材料和SiO2源材料而得到，然后在高温氮气环境中退火，从而获得SiO2基体中尺寸大小可控、且均匀分布的硅纳米晶。薄膜中硅纳米晶的尺寸大小、尺寸分布和硅纳米晶的密度可以独立控制，而且硅纳米晶在薄膜样品中的位置以及样品的超晶格周期也可以任意设计。本发明所涉及与成熟的Si基光电子集成工艺相兼容，为将来的器件研制打下基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电子束蒸发制备硅纳米晶的方法，其特征在于具体步骤如下：首先由电子束蒸发生长SiOx/SiO2超晶格多层膜结构，1＜x＜2；然后在氮气环境中1050℃～1200℃温度下退火，即得到SiO2基体中尺寸大小可控且均匀分布的硅纳米晶。
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