[发明专利]低蚀刻性较厚光刻胶清洗液无效
| 申请号： | 200610118465.2 | 申请日： | 2006-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101187788A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 刘兵;彭洪修;史永涛;曾浩 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海虹桥正瀚律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203上海市浦东新区张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低蚀刻性的适用于清洗较厚光刻胶的清洗液，其特征是含有氢氧化钾、二甲基亚砜、苯甲醇和乙醇胺。本发明的清洗液可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶(光阻)和其它残留物，尤其适用于较厚(厚度大于100微米)光刻胶的清洗，同时对于Cu(铜)等金属具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 性较厚 光刻 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种低蚀刻性较厚光刻胶清洗液，其特征是含有氢氧化钾、二甲基亚砜、苯甲醇和乙醇胺。
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