[发明专利]双镶嵌结构形成方法无效
| 申请号： | 200610116902.7 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101154048A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 林益世 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/20;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种双镶嵌结构形成方法，包括：形成双镶嵌基体，所述双镶嵌基体包含顺序叠加的刻蚀终止层、介质层、第一抗反射涂层及图案化的第一光致抗蚀剂层；顺序刻蚀第一抗反射涂层、介质层，形成通孔；移除图案化的第一光致抗蚀剂层及第一抗反射涂层；涂覆第二抗反射涂层；利用确定机台完成所述第二抗反射涂层的第一烘干过程；利用上述机台或另一机台完成所述第二抗反射涂层的第二烘干过程，并形成图案化所述第二光致抗蚀剂层；刻蚀第二抗反射涂层及介质层，并去除通孔底部刻蚀终止层，形成沟槽。可在集成电路的制造过程中不必引入附加工艺或强化生产调度即可有效抑制光致抗蚀剂中毒现象发生。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双镶嵌结构形成方法，包括：形成双镶嵌基体，所述双镶嵌基体包含顺序叠加的刻蚀终止层、介质层、第一抗反射涂层及图案化的第一光致抗蚀剂层；顺序刻蚀第一抗反射涂层、介质层，形成通孔；移除图案化的第一光致抗蚀剂层及第一抗反射涂层；涂覆第二抗反射涂层；利用确定机台完成所述第二抗反射涂层的第一烘干过程；利用上述机台或另一机台完成所述第二抗反射涂层的第二烘干过程，并形成图案化所述第二光致抗蚀剂层；刻蚀第二抗反射涂层及介质层，并去除通孔底部刻蚀终止层，形成沟槽。
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