[发明专利]修正CMP作业工艺条件的方法有效
| 申请号： | 200610116251.1 | 申请日： | 2006-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101148016A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 刘艳平;赵正元 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B49/00;B24B29/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种修正CMP作业工艺条件的方法，它可以根据不同的研磨速率倾向参数选择不同的CMP作业工艺条件，进而可以控制产品膜厚，提高产品膜厚的均一性。它根据产品的研磨速率倾向参数选择CMP作业工艺条件，其中不同的研磨速率倾向参数对应不同的CMP作业工艺条件，所述研磨速率倾向参数是硅片在中心区域的研磨速率和边缘某个区域研磨速率的比值。 | ||
| 搜索关键词： | 修正 cmp 作业 工艺 条件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种修正CMP作业工艺条件的方法，其特征在于，根据产品的研磨速率倾向参数选择CMP作业工艺条件，其中不同的研磨速率倾向参数对应不同的CMP作业工艺条件，所述研磨速率倾向参数是硅片在中心区域的研磨速率和边缘某个区域研磨速率的比值。
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