[发明专利]基于TM模激射的圆柱形结构的微盘激光器无效
| 申请号： | 200610114191.X | 申请日： | 2006-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN101174757A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 杨跃德;黄永箴;罗贤树;陈沁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/10;H01S5/065;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种基于TM模激射的圆柱形结构的微盘激光器，其特征在于，该结构包括：一衬底；一下限制层，该下限制层生长或键合在衬底上，采用同种材料或晶格匹配的材料，该下限制层的上半部经刻蚀成为圆柱形结构；一有源区，该有源区制作在下限制层的上半部，其为圆柱形结构，利于电注入的基于TM模激射的微腔半导体激光器或单光子发射器件；一上限制层，该上限制层制作在有源区上，上限制层可以减小场在衬底的拖尾，降低刻蚀深度要求以及提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 tm 模激射 圆柱形 结构 激光器 | ||
【主权项】：
1.一种基于TM模激射的圆柱形结构的微盘激光器，其特征在于，该结构包括：一衬底；一下限制层，该下限制层生长或键合在衬底上，采用同种材料或晶格匹配的材料，该下限制层的上半部经刻蚀成为圆柱形结构；一有源区，该有源区制作在下限制层的上半部，其为圆柱形结构，利于电注入的基于TM模激射的微腔半导体激光器或单光子发射器件；一上限制层，该上限制层制作在有源区上，上限制层可以减小场在衬底的拖尾，降低刻蚀深度要求以及提高器件性能。
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