[发明专利]阶层多孔γ－氧化铝及其制备方法和用途无效
| 申请号： | 200610113015.4 | 申请日： | 2006-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101139104A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 贺军辉;曹阳;李成章 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C01F7/02 | 分类号： | C01F7/02;C01F7/30;B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 李柏 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米材料制备技术领域，特别涉及一种阶层多孔γ－氧化铝及其制备方法。本发明是以廉价且易取得的天然植物葛根为模板，经硝酸前处理，再经过三氯化铝溶液浸泡－氨气熏浸－高温焙烧，得到与葛根孔道结构相似的阶层多孔γ－氧化铝。该制备方法无需表面活性剂，制备工艺简单，成本低且制得的氧化铝纯度高。与传统的γ－氧化铝相比，本发明制得的阶层多孔γ－氧化铝不仅具有丰富的介孔，而且具有丰富的大孔、更大的比表面积和孔容量和良好的孔结构热稳定性，作为载体在催化、吸附、分离、纳米反应器、模板和光控器件方面具有重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 阶层 多孔 氧化铝 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种在高温下孔结构不易坍塌的阶层多孔γ-氧化铝，其特征是：该阶层多孔γ-氧化铝具有与天然植物葛根茎的孔道结构相似的孔道结构，其既有孔径分布在6～7nm的介孔，又有孔径分布在几百纳米到几十微米的大孔；该阶层多孔γ-氧化铝在经过600～1000摄氏度的煅烧后，其比表面积仍高达170～180m2/g，孔容量达0.3～0.4cm3/g。
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