[发明专利]具有室温铁磁性的氧化物基稀磁半导体薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 200610112791.2 | 申请日： | 2006-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN1924095A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 林元华;南策文;赵荣娟 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C23C30/00 | 分类号： | C23C30/00;C23C18/02 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于材料科学领域的一种具有室温铁磁性的氧化物基稀磁半导体薄膜及其制备方法。所述薄膜的组成用LixNi1－x－yMyO来表示，o≤x≤0.1，o＜y≤0.1。采用溶胶一凝胶法，在Si衬底上用旋涂甩胶的方法制备Li及过渡族金属离子M的NiO薄膜，然后在快速热处理炉中处理，即获得室温铁磁性薄膜材料。本发明通过使用新型的宽带隙基体材料，和改变载流子浓度，得到具有可调控室温铁磁性的过渡族元素掺杂的氧化物基稀磁半导体材料。薄膜在室温下具有铁磁性和很高的电导率，薄膜的室温铁磁性的大小和电导率可以通过改变掺杂的过渡族金属的种类，以及Li离子的含量来调节。该技术工艺简单，重复性强，产品性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 室温 铁磁性 氧化物 基稀磁 半导体 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有室温铁磁性的氧化物基稀磁半导体薄膜，其特征在于，所述具有室温铁磁性的氧化物基稀磁半导体薄膜的组成用LixNi1-x-yMyO来表示，o≤x≤0.1，o＜y≤0.1；其中M为过渡族金属离子，其x、y为摩尔量。
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