[发明专利]一种图形化铂/钛金属薄膜的剥离制备方法

摘要

本发明涉及的图形化铂/钛金属薄膜的剥离制备方法：在基片上制备牺牲层；通过光刻和刻蚀技术图形化牺牲层，将来Pt/Ti金属薄膜保留的地方，牺牲层被刻蚀掉，将来Pt/Ti金属薄膜被剥离的地方，牺牲层被保留；在图形化后的牺牲层上制备Pt/Ti金属薄膜；释放牺牲层，剥离出Pt/Ti金属薄膜图形。该方法设备简单、工艺过程易控制、不会对其它膜层材料造成损害；可大大提高图形化质量，降低图形化难度，同时避免传统方法中使用王水等强酸腐蚀液，提高了图形化过程与其它制备工艺的兼容性；相对于传统剥离方法，由于避免使用光刻胶，提高了Pt/Ti金属薄膜制备时的基片加热温度，可大大增强Pt/Ti金属薄膜与基片附着力。

主权项

1.一种图形化铂/钛金属薄膜的剥离制备方法，其步骤如下：1)在一基片的表面上制备一牺牲层通过溶胶一凝胶法、金属有机物分解法、溅射法、金属有机化学气相沉积法、脉冲激光沉积法或水热法在一基片的表面上淀积一牺牲层；所述基片为硅基片、氮化镓基片、蓝宝石基片、红宝石基片、石英基片、砷化钾基片、碳化硅基片、锗基片或金刚石基片；或者为覆有二氧化硅膜、氮化硅膜、多晶硅膜或它们的复合膜的硅基片、氮化镓基片、蓝宝石基片、红宝石基片、石英基片、砷化钾基片、碳化硅基片、锗基片或金刚石基片；所述牺牲层为氧化锌牺牲层或铝牺牲层；2)制备图形化后的牺牲层用光刻和刻蚀的方法对所述牺牲层进行图形化处理，将来铂/钛金属薄膜被剥离的地方，保留牺牲层；其余牺牲层刻蚀掉。3)制备钛金属薄膜层用溅射或离子镀膜的方法在图形化后的牺牲层表面上制备钛金属薄膜层，所述钛金属薄膜层的制备过程中将所述基片加热至150~500℃；4)制备铂金属薄膜层用溅射或离子镀膜的方法在所述钛金属薄膜表面上制备铂金属薄膜层，所述铂金属薄膜层的制备过程中所述基片被加热至150～500℃；5)图形化铂/钛金属薄膜层把经上述步骤后的覆有铂/钛金属薄膜层的基片放入牺牲层腐蚀液中，释放牺牲层，同时剥离铂/钛金属薄膜层，得到图形化后的铂/钛金属薄膜。