[发明专利]二氧化钛纳晶光吸收增强型薄膜电极及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200610112013.3 申请日: 2006-08-28
公开(公告)号: CN1909261A 公开(公告)日: 2007-02-07
发明(设计)人: 邱勇;马玉涛;王立铎 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01L51/46 分类号: H01L51/46;H01L51/48;H01L31/0224;H01L31/18;H01G9/20;H01M14/00
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摘要: 发明涉及一种新型二氧化钛纳晶光吸收增强型薄膜电极及其制备方法。薄膜电极由导电衬底和位于其上面的包含第一层致密TiO2薄膜层和第二层大孔TiO2薄膜层的复合层共同构成,第一层致密TiO2薄膜层由粒径2~5nm的二氧化钛微粒组成,第二层大孔TiO2薄膜层由粒径5~60nm的二氧化钛微粒与直径为80-1500nm的球形空气大孔组成。该种薄膜电极中的二氧化钛致密薄膜可以有效阻隔电解质与导电衬底的电子复合,大孔光散射薄膜具有随机镶嵌分布在薄膜材料中的几百纳米空气大孔结构,光散射性能高。该薄膜电极的制备方法简单,易于操作,特别适用于TiO2纳晶光吸收增强型薄膜电极的工业化生产。
搜索关键词: 氧化 钛纳晶 光吸收 增强 薄膜 电极 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种二氧化钛纳晶光吸收增强型薄膜电极,由导电衬底和位于其上面的包含第一层致密TiO2薄膜层和第二层大孔TiO2薄膜层的复合层共同构成,其中,第一层致密TiO2薄膜层由二氧化钛微粒组成,第二层大孔TiO2薄膜层由二氧化钛微粒与球形空气大孔组成。
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