[发明专利]二氧化钛纳晶光吸收增强型薄膜电极及其制备方法有效
| 申请号: | 200610112013.3 | 申请日: | 2006-08-28 |
| 公开(公告)号: | CN1909261A | 公开(公告)日: | 2007-02-07 |
| 发明(设计)人: | 邱勇;马玉涛;王立铎 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
| 主分类号: | H01L51/46 | 分类号: | H01L51/46;H01L51/48;H01L31/0224;H01L31/18;H01G9/20;H01M14/00 |
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| 地址: | 100084北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种新型二氧化钛纳晶光吸收增强型薄膜电极及其制备方法。薄膜电极由导电衬底和位于其上面的包含第一层致密TiO2薄膜层和第二层大孔TiO2薄膜层的复合层共同构成,第一层致密TiO2薄膜层由粒径2~5nm的二氧化钛微粒组成,第二层大孔TiO2薄膜层由粒径5~60nm的二氧化钛微粒与直径为80-1500nm的球形空气大孔组成。该种薄膜电极中的二氧化钛致密薄膜可以有效阻隔电解质与导电衬底的电子复合,大孔光散射薄膜具有随机镶嵌分布在薄膜材料中的几百纳米空气大孔结构,光散射性能高。该薄膜电极的制备方法简单,易于操作,特别适用于TiO2纳晶光吸收增强型薄膜电极的工业化生产。 | ||
| 搜索关键词: | 氧化 钛纳晶 光吸收 增强 薄膜 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种二氧化钛纳晶光吸收增强型薄膜电极,由导电衬底和位于其上面的包含第一层致密TiO2薄膜层和第二层大孔TiO2薄膜层的复合层共同构成,其中,第一层致密TiO2薄膜层由二氧化钛微粒组成,第二层大孔TiO2薄膜层由二氧化钛微粒与球形空气大孔组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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