[发明专利]液晶显示器件和其制造方法有效
| 申请号: | 200610110957.7 | 申请日: | 2006-08-11 |
| 公开(公告)号: | CN1913155A | 公开(公告)日: | 2007-02-14 |
| 发明(设计)人: | 细谷邦雄 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/82;G02F1/133 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 张浩 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明的目的在于通过不增加新的步骤而形成遮光膜,以提供一种可见度高的液晶显示器件。本发明的液晶显示器件具有在有源矩阵衬底和相对衬底之间封入液晶的结构。在所述有源矩阵衬底上形成有由多个TFT、布线、以及第一电极(像素电极)等构成的像素部分等,并且在所述相对衬底上形成有第二电极(相对电极)以及着色膜等。本发明的液晶显示器件还具有这样的结构,即将形成TFT的电极和布线等的导电膜的一部分用作像素部分中的遮光膜,所述TFT的电极和布线等形成在有源矩阵衬底上。 | ||
| 搜索关键词: | 液晶显示 器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种液晶显示器件,包括:中间夹着栅极绝缘膜形成在栅极和栅极线上的第一半导体膜;形成在所述第一半导体膜上的第一绝缘体和第二绝缘体;形成在所述第一半导体膜上的与所述第一绝缘体和所述第二绝缘体不重叠且彼此不接触的源极区域和漏极区域;形成在所述第一半导体膜上的第二半导体膜;形成在所述第一绝缘体和所述第二绝缘体上的第三半导体膜;形成在所述源极区域和漏极区域上的源极和漏极;中间夹着所述第三半导体膜形成在所述第一绝缘体上的第一遮光膜;中间夹着所述第三半导体膜形成在所述第二绝缘体上的源极线;以及形成在所述第二半导体膜上的第二遮光膜,其中,所述第一绝缘体形成在所述源极区域和所述漏极区域之间,与所述第二绝缘体的一部分接触地形成所述第二半导体膜,所述源极区域、所述漏极区域、所述第二半导体膜、以及所述第三半导体膜由相同的导电材料形成,并且所述源极、所述漏极、所述源极线、所述第一遮光膜、以及所述第二遮光膜由相同的遮光性导电膜形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610110957.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:玩具枪的反冲装置
- 下一篇:光学编码粒子、系统及高通量筛选
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





