[发明专利]形成无空隙沟槽隔离层的方法无效
| 申请号： | 200610109805.5 | 申请日： | 2006-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN1913122A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 朴庆敏 | 申请（专利权）人： | 东部电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了形成无空隙隔离的方法，包括以下步骤：在半导体衬底中的隔离区内形成沟槽；和在半导体衬底上形成填充氧化物以填充沟槽。通过HDP－CVD法并利用包括O2、SiH4和He的反应物气体混合物形成所述填充氧化物。在本发明的实施方案中，填充氧化物的形成以两步法进行，所述两步法包括：在溅射速率大于沉积速率的第一D/S值的第一加工条件下用填充氧化物第一次填充沟槽；和在第二D/S值小于第一D/S值的第二加工条件下用填充氧化物第二次填充沟槽。此处D/S值定义为“(净沉积速率+毯覆式溅射速率)/(毯覆式溅射速率)”。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 空隙 沟槽 隔离 方法 | ||
【主权项】：
1.形成沟槽隔离的方法，包括以下步骤：在半导体衬底中的隔离区内形成沟槽；在半导体衬底上形成填充氧化物以填充沟槽；和通过高密度等离子体化学气相沉积(HDP-CVD)过程并利用包括O2、SiH4和He的反应物气体混合物形成所述填充氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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