[发明专利]位移缓存器及位移缓存单元

摘要

一种具临界电压变动补偿的位移缓存器与其位移缓存单元。该位移缓存器是将非晶硅薄膜晶体管的临界电压值记录于一电容中，在运作时会根据该电容内记录的临界电压值来动态改变非晶硅薄膜晶体管的偏压大小。

主权项

1.一种位移缓存器，包含：N(N为正整数)个位移缓存单元，第一位移缓存单元的输入端接收一起始信号作为驱动信号，以产生一第一输出信号，且第Q(Q为正整数，1＜Q≤N)位移缓存单元接收第Q-1输出信号，以产生一第Q输出信号，且该第Q位移缓存单元根据第Q+1位移缓存单元的第Q+1输出信号来将该第Q输出信号中止，且第奇数个位移缓存单元接收一奇数时钟信号、一第一奇数控制信号、一第二奇数控制信号、以及一第三奇数控制信号来作为驱动信号，第偶数个位移缓存单元接收一偶数时钟信号、一第一偶数控制信号、一第二偶数控制信号、以及一第三偶数控制信号来作为驱动信号，每一位移缓存单元包含：一上推单元，包含一第一节点，且该上推单元是用以接收前述奇数时钟信号或前述偶数时钟信号；一上推驱动单元，是连接前述第一节点，用以根据前述起始信号或前一级的前述位移缓存单元的输出信号来驱动前述上推单元使其导通，借以提供前述奇数时钟信号或前述偶数时钟信号至一输出端，以产生前述输出信号；一第一下拉单元，包含一第一晶体管，该第一晶体管的漏极连接前述输出端、源极连接一第一电压源、以与栅极连接一第二节点，其中该第一电压源具有一第一电压准位；一第二下拉单元，包含：一第二晶体管，该第二晶体管的漏极连接前述第一节点、栅极连接前述第二节点、以及源极连接前述第一电压源；以及一第三晶体管，该第三晶体管的漏极连接前述第一节点、栅极接收后一级的前述位移缓存单元的输出信号、以及源极连接前述第一电压源；以及一下拉存储控制单元，包含一电容，该电容的一端连接前述第二节点、另一端连接一第三节点，且该下拉存储控制单元是用以接收一第一奇数、或第一偶数控制信号，并根据该第一奇数、或第一偶数控制信号将前述第二节点的电压准位提升至一第二电压源的第二电压准位，借以驱动前述第一、第二晶体管使其导通，及将该第三节点的电压准位下拉至前述第一电压准位；以及接收一第二奇数、或第二偶数控制信号，根据该第二奇数、或第二偶数控制信号将该第三节点的准位维持在该第一电压准位、并利用该电容储存对应于前述第一、第二晶体管临界电压值的该第二、第三节点之间的电位差；其中，当前述第一晶体管导通时，该第一晶体管提供前述第一电压准位至前述输出端；且当前述第二晶体管导通时，该第二晶体管将前述第一电压准位提供至前述第一节点，且前述上推驱动单元根据该第一节点的第一电压准位关闭前述上推单元使其截止；以及当前述第三晶体管被后一级的前述位移缓存单元的输出信号驱动时，该第三晶体管提供前述第一电压准位至前述第一节点，且前述上推驱动单元根据该第一节点的第一电压准位关闭前述上推单元使其截止。