[发明专利]半导体晶片以及半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200610108936.1 | 申请日： | 2006-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1905208A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 永野元;齐藤芳彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/02 | 分类号： | H01L29/02;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在Si基板(11)上形成渐变SiGe Buffer层(12)和SiGe Buffer层(13)，并且在其上面形成小于等于临界膜厚的应变Si层(14)，由此来降低对应变Si层(14)与SiGe Buffer层(13)的界面所施加的应力，实现结晶缺陷密度低的应变Si层(14)，并且通过利用比Si的晶格常数大的SiGe Cap层(21)覆盖应变Si层(14)表面，防止了应变Si层(14)在后段工序中因牺牲氧化而消失，从而实现了能够在其上面形成栅极氧化膜的高品质的应变Si晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 以及 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片，其特征在于，包括：半导体基板；作为缓冲层的第1半导体层，其形成在上述半导体基板上，并具有与上述半导体基板不同的晶格常数；作为应变半导体层的第2半导体层，其形成在上述第1半导体层上；和作为帽层的第3半导体层，其形成在上述第2半导体层上。
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