[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200610108514.4 | 申请日： | 2006-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1905180A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 永井纪行;滨谷毅;三村忠昭 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体器件，通过加厚层间膜(22)，并将电极焊盘(11)的一部分或全部引出到有源区(16)且形成于该区，能使输入输出区(15)缩小，因而能缩小半导体器件的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，具有作为输入输出单元电路区的输入输出区和作为功能元件形成区的有源区，其特征在于，具有形成于输入输出区并引出内部布线的焊盘金属件；以使所述焊盘金属件的一部分露出的状态形成在所述半导体器件的整个表面上的层间膜；在所述有源区的所述层间膜上形成一部分或全部的电极焊盘；与所述焊盘金属件和所述电极焊盘电连接的通道孔；以及以使所述电极焊盘露出的状态形成在所述半导体器件的整个表面的保护膜，所述输入输出区小于所述电极焊盘。
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