[发明专利]光掩模坯、光掩模及其制作方法有效
| 申请号： | 200610107711.4 | 申请日： | 2006-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1900819A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | 吉川博树;洼田宽;木名濑良纪;冈崎智;丸山保;原口崇;岩片政秀;福岛祐一;佐贺匡 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 孟凡宏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在由石英或类似物制成用作光掩模基板的透明基板(11)的一个主平面上形成用于曝光光的遮光膜(12)。遮光膜(12)不仅用作所谓的“遮光膜”，而且还用作抗反射膜。另外，遮光膜具有100nm或更小的总厚度，而且对于波长为450nm的光，具有每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm－1或更小的铬化合物的厚度占到该总厚度的70％或更多。在光掩模坯被用于制作为ArF曝光而设计的掩模的情形中，选择遮光膜(12)的厚度和组成使得遮光膜(12)的OD对于193nm或248nm的光是1.2到2.3。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模坯 光掩模 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种光掩模坯，包括：透明基板；和形成在透明基板上用于曝光光的遮光膜；其特征在于所述遮光膜具有100nm或更小的总厚度，对于波长为450nm的光，每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm-1或更小的铬化合物的厚度占到该总厚度的70％或更多。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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