[发明专利]具有高频开关电路的高频装置有效
| 申请号： | 200610106181.1 | 申请日： | 2006-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1901196A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | 小浜一正 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有高频开关电路的高频装置，在化合物半导体的高频开关电路中，实现了具有高频开关电路的高频装置的低失真化。形成有构成开关电路(11)的场效应晶体管FET的化合物半导体基板(1)经由绝缘部(2)设置，通过对基板(11)施加需要的正电位的电压，可以实现失真的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 高频 开关电路 装置 | ||
【主权项】：
1.一种具有开关电路的高频装置，其具有：化合物半导体基板、第一高频输入输出端子、第二高频输入输出端子、控制信号导入端子、电源端子以及接地端子，其特征在于：在上述化合物半导体基板的有源区域的上述化合物半导体基板的一主面侧上形成有场效应晶体管，构成有含有该场效应晶体管的开关电路，在上述化合物半导体基板的另一主面侧上设置有绝缘部，并且设置有从上述电源端子向上述化合物半导体基板施加需要的正电位的电压的基板电压施加电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
