[发明专利]具有充裕驱动电流和减小结漏电流的半导体器件

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括有源区、包含垂直沟道结构的阶梯状凹形沟道区域、栅绝缘膜和栅结构。有源区由形成于半导体衬底上的器件隔离结构所界定。阶梯状凹形沟道区域形成于有源区中。垂直绝缘体上硅(SOI)沟道结构在栅区纵向上设置于器件隔离结构的侧壁处。栅绝缘膜设置于包含阶梯状凹形沟道区域的有源区之上。栅结构设置于栅区的阶梯状凹形沟道区域之上。

主权项

1.一种半导体器件，包括：形成于半导体衬底中的器件隔离结构，以界定有源区；阶梯状凹形沟道区域，包含形成于有源区中的垂直绝缘体上硅沟道结构，其中垂直绝缘体上硅沟道结构沿栅区纵向设置于器件隔离结构的侧壁；以及设置于栅区的阶梯状凹形沟道区域之上的栅结构。