[发明专利]喷液头、喷液装置以及喷液头的制成方法无效

专利信息
申请号: 200610106105.0 申请日: 2006-06-02
公开(公告)号: CN1880079A 公开(公告)日: 2006-12-20
发明(设计)人: 江口武夫;小野章吾;竹中一康;中村厚志;池本雄一郎;平岛滋义;中山淳;西正太;矢仓雄次;藤木繁义;松田学 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: B41J2/14 分类号: B41J2/14;B41J2/16
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 马高平;杨梧
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种喷液头,包括:布置在一半导体基板上的能量产生元件,淀积在半导体基板上用于在能量产生元件周围形成液体腔室的栅隔层,以及接合到栅隔层上并具有在与能量产生元件相对位置处形成的喷嘴的喷嘴片,其中,喷液头通过能量产生元件以液滴形式从喷嘴喷出容纳在液体腔室中的液体,并且栅隔层设置有多个凹部,每个凹部都具有独立轮廓且布置在与所述喷嘴片接合的接合区域上的远离栅隔层边缘的范围内。
搜索关键词: 喷液头 装置 以及 制成 方法
【主权项】:
1.一种喷液头,包括:能量产生元件,其布置在半导体基板上;栅隔层,其淀积在所述半导体基板上,以在所述能量产生元件周围形成液体腔室;和喷嘴片,其被接合到所述栅隔层上并具有在与所述能量产生元件相对位置处形成的喷嘴,其中,所述喷液头通过所述能量产生元件以液滴形式从所述喷嘴喷出容纳在所述液体腔室中的液体,并且其中,所述栅隔层设置有多个凹部,每个凹部都具有独立轮廓且布置在与所述喷嘴片接合的接合区域上的远离栅隔层边缘的范围内。
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