[发明专利]使用非牛顿流体清洗衬底的方法和装置有效
| 申请号： | 200610106069.8 | 申请日： | 2006-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1897220A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | J·M·德拉里奥斯;M·拉夫金;J·法伯;M·科罗利克;F·C·雷德克尔 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/30;B08B3/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘华联 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种用于清洗衬底的方法。在该方法中，提供了非牛顿流体流，其中至少部分流呈现栓塞流。为了从衬底表面去除颗粒，放置衬底表面与呈现栓塞流的流部分接触以使呈现栓塞流的流部分在衬底表面上移动。也描述了用于清洗衬底的另外的方法和装置。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 牛顿 流体 清洗 衬底 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于清洗衬底的方法，包括方法操作：以非牛顿流体填充腔室；放置衬底到该腔室中；以及迫使另外非牛顿流体进入腔室以产生非牛顿流体流，至少部分流呈现栓塞流，衬底放置在腔室内以使呈现栓塞流的流部分在衬底表面上移动以能够从衬底表面去除颗粒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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