[发明专利]电子电路和具有可变偏压的存储电路

摘要

本发明提供了一种技术，用于在诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)电路的电路中选择性地偏压阱，所述电路具有两种类型的晶体管，一种类型形成在基板上，而另一种类型形成在阱上。例如，该电路可以为存储电路，并且选择性阱偏压可以根据进行的是读或写操作而改变。另一方面，存储电路中的单元可以经历变化的偏压，还是根据诸如进行的是读或写操作。

主权项

1、一种电子电路，包括：第一类型材料的基板，该第一类型为p型和n型之一；形成在该基板中的阱，该阱为不同于该第一类型材料的第二类型材料，该第二类型为p型和n型之一；至少一个该第二类型的场效应晶体管，形成在该基板上；至少一个该第一类型的场效应晶体管，形成在该阱中；和阱-偏压电路，构造成对于第一操作模式以第一方式偏压阱，而对于第二操作模式以不同的第二方式偏压阱。