[发明专利]薄膜磁头滑块的ABS加工方法有效

专利信息
申请号: 200610105858.X 申请日: 2006-07-13
公开(公告)号: CN1912999A 公开(公告)日: 2007-02-14
发明(设计)人: 遁所淳;田中伸一 申请(专利权)人: 阿尔卑斯电气株式会社
主分类号: G11B5/187 分类号: G11B5/187;G11B5/31;G11B5/60;G11B21/21
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 胡建新
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供薄膜磁头滑块的ABS加工方法,能使抗蚀剂的密合性提高,精度良好地规定ABS凹凸形状。首先,在作为薄膜磁头滑块的与介质相对的面的面上,顺序地层叠形成第1硅膜、第1碳膜、第2硅膜、以及第2碳膜,在该第2碳膜上形成用于形成突起的抗蚀剂图形。接着,进行使用O2/CF4的反应性离子蚀刻,除去不被用于形成突起的抗蚀剂图形覆盖的第2碳膜以及第2硅膜,在除去部分露出的第1碳膜上形成第3碳膜。接着,除去用于形成突起的抗蚀剂图形,使由第2硅膜以及第2碳膜构成的突起露出。然后,在突起以及第3碳膜露出的表面上形成ABS抗蚀剂图形,加工从该ABS抗蚀剂图形中露出的表面,赋予ABS凹凸形状。
搜索关键词: 薄膜 磁头 abs 加工 方法
【主权项】:
1.一种薄膜磁头滑块的ABS加工方法,在薄膜磁头滑块的与介质相对的面上,形成ABS凹凸形状和突起,具备以下工序:在上述与介质相对的面上,顺序地层叠形成第1硅膜、第1碳膜、第2硅膜、以及第2碳膜的工序;在上述第2碳膜上形成突起抗蚀剂图形的工序,上述突起抗蚀剂图形规定应形成突起的位置以及形状;将上述第1碳膜作为蚀刻阻止层进行使用O2以及CF4的反应性离子蚀刻,除去不被上述突起抗蚀剂图形覆盖的上述第2碳膜以及上述第2硅膜的工序;在上述第2碳膜以及上述第2硅膜的除去部分露出的第1碳膜上,形成覆盖该第1碳膜的第3碳膜的工序;除去上述突起抗蚀剂图形,使由上述第2硅膜以及上述第2碳膜构成的突起露出的工序;在上述突起以及上述第3碳膜露出的表面上形成ABS抗蚀剂图形的工序,上述ABS抗蚀剂图形规定应形成ABS凹凸形状的位置以及形状;加工从该ABS抗蚀剂图形中露出的表面,赋予ABS凹凸形状的工序。
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