[发明专利]一种大面积自支撑宽禁带半导体材料的制作方法有效
| 申请号： | 200610105112.9 | 申请日： | 2006-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1959933A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 郝跃;张进城;陈军峰 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 | 代理人： | 王品华;黎汉华 |
| 地址： | 71007*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于双缓冲柔性衬底的大面积、自支撑宽禁带半导体材料制作方法。主要解决现有技术制作的宽禁带半导体材料存在高缺陷密度、大量裂纹、外延材料厚度过小，无法剥离等技术问题。其技术方案是：首先在硅片上制作SOI结构；接着在SOI结构的SOL上利用光刻、外延工艺制作岛状缓冲层，形成双缓冲柔性衬底；接着在该双缓冲柔性衬底上外延生长半导体材料；最后将所生长半导体材料下面的双缓冲柔性衬底或SOI结构层剥离掉，最终形成所需的大面积、自支撑宽禁带半导体材料。本发明具有能够释放外延材料与硅片材料之间因晶格失配、热失配产生高应力的优点，可用于进行碳化硅SiC、氮化镓GaN等材料的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 支撑 宽禁带 半导体材料 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种大面积自支撑宽禁带半导体材料的制作方法，按如下过程进行：第一步，根据自支撑外延层的应用选择硅片的晶向和尺寸；第二步，利用常规的注氧隔离SIMOX、硅片键合BESOI、智能剥离UNIBOND在所选的硅片上制作掩埋氧化层BOX、表层硅SOL，形成SOI结构；第三步，在SOI结构的表层硅SOL上利用光刻、外延工艺制作岛状缓冲层，形成双缓冲柔性衬底；第四步，在所述双缓冲柔性衬底上利用常规的外延工艺生长半导体材料；第五步，利用常规的剥离工艺将所述半导体材料下面的双缓冲柔性衬底或SOI结构层剥离掉，形成大面积、自支撑的宽禁带半导体材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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