[发明专利]自驱动LDMOS晶体管有效
| 申请号： | 200610103101.7 | 申请日： | 2006-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN1877862A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 蒋秋志;黄志丰 | 申请（专利权）人： | 崇贸科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种自驱动LDMOS，其利用位于漏极端子与辅助区域之间的寄生电阻器。所述寄生电阻器形成于准连接深N型阱中的两个耗尽边界之间。当所述两个耗尽边界夹断时，栅极端子处的栅极电压电位将被维持在所述漏极端子处的漏极电压电位。由于将所述栅极电压电位设计为等于或高于启动阈电压，所以所述LDMOS将相应地导通。此外，制造所述寄生电阻器不需要额外的晶粒空间和掩模工艺。此外，本发明的所述寄生电阻器不会降低所述LDMOS的击穿电压和操作速度。另外，当所述两个耗尽边界夹断时，所述栅极电压电位不会回应所述漏极电压电位的增加而变化。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动 ldmos 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种电压控制晶体管的结构，包含电压控制端子、源极端子和漏极端子；其中所述电压控制端子处的电压电位对应所述漏极端子处的电压变化而变化；当所述电压控制晶体管的夹断情况发生时，所述电压控制端子处的电压电位将被控制以维持在预定电压电位；当所述电压控制端子处的电压电位超过所述预定电压电位时，所述电压控制端子处的电压电位将不再随着所述漏极端子处的漏极电压电位变化而变化；其中不连续的极性分布结构形成于所述漏极端子与所述电压控制端子之间；所述电压控制端子连接到与所述漏极端子具有相同掺杂极性的辅助区域；其中所述漏极电压电位控制两个耗尽边界；当所述两个耗尽边界夹断时，所述电压控制端子处的电压电位将被控制以维持在所述预定电压电位。
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